Samsungs Beliebte B Die Speicherchips Werden Abgeloest

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Zuletzt aktualisiert: 24. April 2026

Samsungs beliebte B-Die-Speicherchips werden abgelöst

Samsungs Produktion für B-Die-Speicherchips ist ausgelaufen und wird mit neuen A- und M-Dies ersetzt. Die Beliebtheit für Samsungs Speicherchips liegt vor allem an der guten Kompatibilität zu AMDs neuer AM4 Plattform in Kombination mit einem modernen Ryzen Prozessor.

Die beliebten Speicherchips eignen sich besonders gut für die Ryzen-Plattformen

Samsungs Speicherchips erlaubten auf den oben erwähnten Ryzen-Plattformen hohe Taktraten und glichen somit eine potentielle Schwachstelle der Ryzen-Architektur aus, die Kopplung der Taktfrequenz des Arbeitsspeichers an eine interne Taktdomäne des Ryzen-Prozessors, die die beiden CPU-Komplexe (CCX) miteinander verbindet. Durch eine höhere Taktfrequenz steigt also potentiell der Datendurchsatz und die Latenz bei der Kommunikation sinkt. Samsungs Speicher zeigt sich äußerst taktfreudig und flexibel und skaliert relativ gut mit steigender Taktrate. Viele Hersteller setzten auf die Speicherchips von Samsung, die in Single- oder Dual-Rank-Bauweise ausgeliefert wurden

Samsungs A- und M-Die

Samsungs M-Dies waren dazu angedacht 32 GB Arbeitsspeicher in den Mainstream-Markt zu bringen, doch die Nachfrage nach Arbeitsspeicher für diese Chips war so hoch, dass diese schlicht nicht im Mainstream-Markt angekommen sind. Die Speichermodule mit A-Dies haben grundsätzlich eine höhere Speicherdichte und sollen den Workflow der Speicherentwickler leichter gestalten. Die Frage, ob sie letztendlich eine genauso gute Leistung wie Samsungs B-Dies erreichen, ist nicht einfach zu beantworten. Die Fertigung der A-Dies soll in der 1z-Klasse über denen der M-Dies in der 1y-Klasse angesiedelt sein. Mit der verbesserten Fertigung wäre es durchaus möglich, höhere Taktfrequenzen zu erreichen. Einige Speicherchips mit M-Dies sind bereits im Umlauf.

Quelle: Hardwareluxx, Wccftech


Kommentare (4)

  • Stunrise schrieb am

    @MopsHausen
    Das Problem ist nicht der Wert "Mesh Voltage" oder "SA Voltage" aus dem UEFI, sondern ein (bei meinem Board) unsichtbarer "Uncore Offset", den man nirgends konfigurieren und auch nirgends auslesen kann. Auch nicht mit z.B. dem Intel Extreme Tuning Tool. Überhaupt aufgefallen ist mir der Offset nur wegen der neuesten HWiNFO64 Version, mit der man den Uncore Offset erstmals auch auf Mainboards sieht, die das nicht kontrollieren lassen.

    Man kann auch über ThrottleStop den Offset einstellen. Bei meinem X299-UD4 ist das die einzige Möglichkeit. Nur das "iGPU unslice" Label ist momentan noch falsch beschriftet, steuert aber zumindest bei Skylake-X den Uncore Offset.



    Spoiler
    : ThrottleStop FIVR Control

    Ich kann dir auf jeden Fall sagen, dass ich sehr blöd geschaut habe, als ich das erste mal diese 0,5v gesehen habe (bei Luftkühlung wohlgemerkt). Mein Skylake-X lief bestimmt ein halbes Jahr mit diesem krassen Offset, zum Glück scheint es keinen Schaden angerichtet zu haben. Jetzt läuft es mit 250mv Offset und DDR4-3600



    Spoiler
    : Karhu Stable Test

  • MopsHausen schrieb am

    Stunrise hat gesagt
    Meines Erachtens ist mit den Geschwindigkeiten von Samsung B-Die Chips die maximal realistische Geschwindigkeit von DDR4 längst erreicht bzw. überschritten. Ein AMD Ryzen Gen2 Speichercontroller macht mit extrem viel Glück und Gefrickel bestenfalls DDR4-3600Mhz mit. Die Intel Speichercontroller können zwar viel höheren RAM Takt stabil betreiben, dafür wird aber automatisch (und unsichtbar) der Uncore Offset durch den CPU selbst gesetzt (ähnlich der VID bei den Kernen). Und dieser Offset hat es im Beispiel von Skylake-X gewaltig in sich:
    0,9v für DDR4-2666 (Standard)
    +150mv für DDR4-3200 (1,05v)
    +350mv für DDR4-3600 (1,25v)
    +500mv für DDR4-4000 (1,4v)
    +600mv für DDR4-4200 (1,5v)
    Dieser Offset ist auch weitestgehend benötigt, für DDR4-3600 brauche ich mindestens +250mv und für DDR4-4000 mindestens +450mv für 10.000% Karhu ohne Fehler. Der Stromverbrauch und die Hitzeentwicklung steigen vor allem bei >DDR4-3600 extrem an, man verliert damit locker 100Mhz, eher 200Mhz an OC-Potential bei den Kernen, sodass man mit dem RAM-OC höher als DDR4-3600 eher Leistung verliert (durch weniger möglichen Core Takt), als welche zu gewinnen. Unabhängig davon, dass ich es stark anzweifel, dass die Lebensdauer von 1,4v Uncore (+0,5v) nicht erheblich negativ beeinträchtigt wird. Auch bei Intel bis einschließlich Skylake-X sind also DDR4-3600 das realistische Optimum. Ein paar ganz Verrückte haben vielleicht DDR4-4200 bei 1,6v Uncore Spannung am laufen, aber dann ist echt das Ende der Fahnenstange sowas von erreicht.
    Selektierte Samsungs B-Die Chips machen bereits heute locker diese Geschwindigkeiten mit. Für "noch bezahlbare" 198€ bekommt man ein DDR4-4133 CL19 Kit von G.Skill, eines mit DDR4-4266 CL19 schlägt nochmal mit 20€ Aufpreis zu Buche. Das Limit sind aktuell ganz klar die DDR4 Speichercontroller und weniger die Speicherriegel selbst. Selbst wenn "A-Die" Speicher sagen wir DDR4-5000 mitmachen würde, gibt es keinen Speichercontroller auf dem Markt, der das beherrscht.

    Bei den Werten nehme ich stark an das das im QC läuft was schonmal ne andere Liga ist als DC.
    Zumal SKL-X mit seinem Mesh nicht direkt vergleichbar zu coffeelake ist.
    Hier liegt dann denke ich auch der wahre Grund warum du soviel Uncore Offset fährst , um bei hohem Ramtakt auch den Mesh oben halten zu können damit Durchsatz und Latenzen nicht leiden. Gerade Letzte sind ja für SKL-X der Klotz am Bein wenn’s ums Gaming geht.
    Coffelake läuft zb bei 4Ghz und mehr Ram je nach Güte des IMC bei sehr humanen VCCSA und IO Werten wenn man nicht blind XMP rein kloppt und das Board Nachschlag geben lässt ohne Sinn und Verstand.
    Wenn man sich die ersten Ryzen anschaut und sieht wohin sich die ramgeschichte da sowohl bei Speed als auch Kompatibilität hinentwickelt gehts hier such ganz klar in die richtige Richtung .
    Sollte es auch gerade wenn man bedenkt das für Zen 2 16 Kerne sehr wahrscheinlich sind welche weiter an einer DC Lösung hängen Brauchs hier Takt um die benötigten Bandbreiten für solche CPUs zu liefern

  • Sirius1 schrieb am

    Danke für den etwas tieferen Einblick in die Materie. Es ist aber auch der Sweet-Spot zwischen Invest (€), eingesetzten Speichercontroller und DDR4 Speicherchips der die Musik macht. Ich kann mich maximal mit einem DDR4, 3333er bei CL16 für rund €100,- je 16GB anfreunden, das ist verfügbar und läuft sowohl unter Intel als auch AMD. Bei höheren Qualitätsansprüchen kommt das Preis/Leistungsverhältnis aus den Fugen. Und wenn man wild auf eine Case-Study aus ist oder Rekorde brechen will, dann bitteschön. Aber das kostet und ist auch von dem Leistungszugewinn vollkommen irrational. Jeder scheinbare Turbo löst irgendwo eine Handbremse aus und ist mit steigenden Anforderungen immer schlechter beherrschbar.

  • Stunrise schrieb am

    Meines Erachtens ist mit den Geschwindigkeiten von Samsung B-Die Chips die maximal realistische Geschwindigkeit von DDR4 längst erreicht bzw. überschritten. Ein AMD Ryzen Gen2 Speichercontroller macht mit extrem viel Glück und Gefrickel bestenfalls DDR4-3600Mhz mit. Die Intel Speichercontroller können zwar viel höheren RAM Takt stabil betreiben, dafür wird aber automatisch (und unsichtbar) der Uncore Offset durch den CPU selbst gesetzt (ähnlich der VID bei den Kernen). Und dieser Offset hat es im Beispiel von Skylake-X gewaltig in sich:
    0,9v für DDR4-2666 (Standard)
    +150mv für DDR4-3200 (1,05v)
    +350mv für DDR4-3600 (1,25v)
    +500mv für DDR4-4000 (1,4v)
    +600mv für DDR4-4200 (1,5v)
    Dieser Offset ist auch weitestgehend benötigt, für DDR4-3600 brauche ich mindestens +250mv und für DDR4-4000 mindestens +450mv für 10.000% Karhu ohne Fehler. Der Stromverbrauch und die Hitzeentwicklung steigen vor allem bei >DDR4-3600 extrem an, man verliert damit locker 100Mhz, eher 200Mhz an OC-Potential bei den Kernen, sodass man mit dem RAM-OC höher als DDR4-3600 eher Leistung verliert (durch weniger möglichen Core Takt), als welche zu gewinnen. Unabhängig davon, dass ich es stark anzweifel, dass die Lebensdauer von 1,4v Uncore (+0,5v) nicht erheblich negativ beeinträchtigt wird. Auch bei Intel bis einschließlich Skylake-X sind also DDR4-3600 das realistische Optimum. Ein paar ganz Verrückte haben vielleicht DDR4-4200 bei 1,6v Uncore Spannung am laufen, aber dann ist echt das Ende der Fahnenstange sowas von erreicht.
    Selektierte Samsungs B-Die Chips machen bereits heute locker diese Geschwindigkeiten mit. Für "noch bezahlbare" 198€ bekommt man ein DDR4-4133 CL19 Kit von G.Skill, eines mit DDR4-4266 CL19 schlägt nochmal mit 20€ Aufpreis zu Buche. Das Limit sind aktuell ganz klar die DDR4 Speichercontroller und weniger die Speicherriegel selbst. Selbst wenn "A-Die" Speicher sagen wir DDR4-5000 mitmachen würde, gibt es keinen Speichercontroller auf dem Markt, der das beherrscht.

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